[26] "Effects of carrier localization on the optical
characteristics of MOCVD-grown InGaN/GaN
heterostructrues", Y. H. Cho*, T. J. Schmidt, A. J. Fischer, S. Bidnyk,
G. H. Gainer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, S. P. Denbaars, D. S. Kim,
and W. Jhe, Phys. Stat. Sol. (b) 216, 181
(1999).
